Les exigences technologiques contemporaines imposent des composants électroniques capables de supporter des courants élevés tout en conservant une taille compacte. Les modules de technologie IGBT, notamment les versions SM2G50SH120H3 et SKM400GAL12T4, représentent l'aboutissement de recherches poussées dans le domaine de la physique des semi-conducteurs.
La combinaison d'un transistor bipolaire et d'un transistor à effet de champ donne à ces modules une impédance d'entrée élevée et une vitesse de commutation remarquable. Cela se traduit par une baisse de la consommation propre du système de commande.
| Composant | Type de Connexion | Usage Recommandé |
|---|---|---|
| SM2G50SH120H3 | Borniers à vis | Régulation de puissance intermédiaire |
| SKM400GAL12T4 | Broches renforcées | Commutation lourde haute fréquence |
Que ce soit pour équiper des systèmes de transport électrique ou des générateurs industriels, ces semi-conducteurs assurent une transmission de l'énergie sans faille ni déperdition notable.
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