Spécifications techniques du module RAM DDR2 Foxconn 2Go
Ce module de mémoire vive DDR2-6400 Foxconn C51XEM2AA-8EKRS2H intègre des puces de mémoire de haute qualité montées sur un circuit imprimé multicouche. Conçu pour l'environnement grand public et de bureau, ce composant non-ECC fonctionne à une fréquence d'horloge de 800 MHz, offrant une bande passante théorique maximale idéale pour la plateforme de puces C51.
Architecture électrique et gestion de la bande passante
La mémoire fonctionne sous une tension standardisée pour la DDR2, minimisant la dissipation thermique à l'intérieur du châssis. Sa structure Non-ECC sans tampon (unbuffered) la rend compatible avec la majorité des processeurs de bureau du marché, assurant des cycles d'écriture et de lecture directs sans latence de parité intermédiaire.
Détails de l'architecture matérielle
- Densité du module : 2Go répartis de manière homogène pour une stabilité des banques de mémoire.
- Signal de synchronisation : Alignement précis des signaux d'horloge pour éviter les erreurs de bus.
- Connectique : Broches dorées pour prévenir l'oxydation et maintenir une conductivité maximale.
Matrice des spécifications matérielles
| Composant | Valeur nominale |
|---|---|
| Type d'interface | 240-pin DIMM |
| Fréquence opérationnelle | 800 MHz (PC2-6400) |
| Profil de correction d'erreur | Non-ECC |
| Tension d'alimentation | 1.8 V |
Ce choix technique permet de maintenir une configuration matérielle stable à long terme, en respectant scrupuleusement les profils de synchronisation requis par le chipset Foxconn d'origine.
